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根據(jù)最近的機構(gòu)研究報告，為您總結(jié)相關(guān)行業(yè)的投資要點，供參考：事件點評2023年6月19日，騰訊云在北京召開行業(yè)大模型及智能應(yīng)用技術(shù)峰會，首次公布騰訊云行業(yè)大模型研發(fā)進展，依托騰訊云TI平臺打造行業(yè)大模型精選商店，為客戶提供MaaS一站式服務(wù)，助力客戶構(gòu)建專屬大模型及智能應(yīng)用。隨著大數(shù)據(jù)AI/ML等應(yīng)用爆發(fā)，內(nèi)存與算力間技術(shù)發(fā)展差距逐步加大，成為制約計算系統(tǒng)性能主要因素。CXL有望突破內(nèi)存墻及IO墻瓶頸，極高兼容性+內(nèi)存一致性優(yōu)勢顯著。當前主流計算系統(tǒng)數(shù)據(jù)處理方案依賴馮諾依曼架構(gòu)（數(shù)據(jù)存儲與數(shù)據(jù)處理分離體系），為滿足速度及容量需求，現(xiàn)代計算系統(tǒng)通常采取高速緩存(SRAM)、主存(DRAM)、外部存儲(NANDFlash)三級存儲結(jié)構(gòu)。越靠近運算單元存儲器速度越快，但受功耗、散熱、芯片面積等因素制約，相應(yīng)容量越小。如SRAM響應(yīng)時間為納秒級，DRAM為100納秒量級，NANDFlash為100微秒級，當數(shù)據(jù)在高速緩存/主存/外部存儲三級傳輸時，后級響應(yīng)時間及傳輸帶寬將拖累整體性能，形成“存儲墻”。IO墻產(chǎn)生于外部存儲中，當數(shù)據(jù)量龐大需借助外部存儲，并用網(wǎng)絡(luò)IO訪問數(shù)據(jù)。IO方式訪問使訪問速度成數(shù)量級下降，拖累整體性能。CXL（ComputeExpressLink），作為一種全新互聯(lián)技術(shù)標準，可保證CPU與GPU、FPGA或其他加速器間實現(xiàn)高速高效互聯(lián)，滿足高性能異構(gòu)計算要求，且維護CPU內(nèi)存空間及連接設(shè)備內(nèi)存間一致性，可突破內(nèi)存墻及IO墻瓶頸，縮減整體響應(yīng)時間。CXL1.1三種協(xié)議直連帶來容量及帶寬拓展，CXL2.0加入Switch層引入內(nèi)存池化技術(shù)，CXL3.0共享內(nèi)存時代有望到來。CXL1.1支持CXL.io，CXL.cache，CXL.mem協(xié)議。CXL.io為PCIe5.0增強版本，運行于PCIe總線物理層，CXL.cache用于一致主機緩存訪問，CXL.mem用于主機內(nèi)存訪問，三種方法構(gòu)成連接主機與設(shè)備新基礎(chǔ)路線。CXL2.0在CXL1.1基礎(chǔ)上，增加熱插拔（HotPlug）、安全升級、持久內(nèi)存（PersistentMemory）、Telemetry、RAS支持及Switch等功能。加入Switch層，實現(xiàn)多設(shè)備連接到一個rootport，且當設(shè)備內(nèi)存不足時，CXL技術(shù)能夠讓設(shè)備在內(nèi)存池里尋找內(nèi)存空間。在該框架下，跨系統(tǒng)設(shè)備實現(xiàn)共享內(nèi)存池成為可能。CXL3.0建立于PCI-Express6.0之上（CXL1.0/1.1和2.0版本建立于PCIe5.0之上），其帶寬提升兩倍，且簡單化部分復(fù)雜的標準設(shè)計，確保易用性。CXL技術(shù)發(fā)展前景可期，國內(nèi)外芯片大廠加速布局。2021年10月，Rambus發(fā)布CXL2.0控制器。2022年5月，瀾起科技(688008)發(fā)布全球首款CXL內(nèi)存擴展控制器芯片（MXC）。2022年5月，美滿電子宣布將收購先進CXL技術(shù)領(lǐng)先開發(fā)商Tanzanite。2022年8月，Microchip推出基于CXL新型SMC2000系列智能存儲控制器，使CPU、GPU及SoC利用CXL接口連接DDR4或DDR5存儲器。2022年8月，SK海力士推出首款CXL存儲器樣品，有望于2023年量產(chǎn)；10月，全行業(yè)率先研發(fā)出首款將計算功能與CXL存儲器相結(jié)合CMS；2023年1月，三星電子展示其512GBCXL內(nèi)存擴展器；AMD預(yù)計將于2023年推出支持CXL1.1接口新品。建議關(guān)注CXL技術(shù)相關(guān)標的：瀾起科技、神州數(shù)碼、得潤電子(002055)等風險提示：AI大模型發(fā)展不及預(yù)期；算力需求不及預(yù)期；CXL技術(shù)發(fā)展不及預(yù)期。